產生光電導現象的方法主要有導帶與價帶之間的躍遷、子帶之間的躍遷或者雜質帶激發，目前人們普遍認為由遠小于半導體禁帶能量的光子直接激發的室溫光電導機制是不可能實現的。中國科學院上海技術物理研究所黃志明研究員團隊研究發現并提出一種太赫茲波段室溫新光電導現象(見下圖)：當外部電磁波(光子)入射到器件上，將在半導體材料中誘導勢阱，從而束縛來自于金屬中的載流子，使得材料中載流子濃度發生改變。黃志明團隊成功制備出相關器件，并通過實驗證明了所提出理論的正確性。

　　有關研究結果已于9月1日在線發表在Advanced Materials (DOI:10.1002/adma.201402352)上。此項研究結果證明了遠小于禁帶能量的光子激發的室溫光電導機制，并跳出了傳統的基于帶間躍遷、子帶能級躍遷，以及雜質帶激發產生光電導的限制，解決了室溫下遠小于禁帶能量光子直接產生光電導這一難題。它將對半導體、超材料、等離子體和太赫茲低能光子探測產生深遠影響。