三星電子于9月22日在韓國京畿道納米城華城園區舉行“16號半導體生產線開工儀式”，這意味著三星電子成為世界上第一家正式批量生產20納米級動態存儲器（D-RAM）和大容量NAND閃存的電子企業，也標志著三星電子在存儲用半導體領域繼續處于領跑地位。

      據悉，16號半導體生產線從2010年5月開工，到2011年5月凈化車間施工完成，6月進入試運行階段，8月具備批量生產架構，本月將生產1萬張以上12英寸WiFi（無線保真）20納米級高速NAND閃存。目前，該生產線是世界上規模最大的NAND閃存批量生產線。

      截至今年年底，三星電子將擴大12英寸WiFi生產規模，明年還打算大批量生產10納米級別的大容量高速閃存，以滿足正在迅猛增長的NAND閃存需求。

      相比于在2010年7月推出的30納米級DDR3動態存儲器，20納米級DDR3動態存儲器能夠提升50%生產量，同時減少40%電耗，屬于真正意義上的綠色內存產品。三星電子表示，他們已經在世界上首次開始大批量生產20納米級2GB動態存儲器，并將在今年年底開發以20納米級4GB DDR3動態存儲器為基礎的大容量產品，從明年開始，將正式開發4GB、8GB、16GB以及32GB等多樣化產品。三星電子今后還將以企業服務器市場為出發點，繼續擴大包括通用計算機市場在內的各種信息產業市場中綠色內存市場的占有率。

      三星會長李健熙、策略解決方案（DS）事業綜合社長權五鉉、李在?等管理人員和包括日本索尼副社長中川裕在內的世界信息產業相關人士等500余人出席了開工儀式。

      李健熙表示，雖然世界經濟不穩定，經營條件的變化也很劇烈，但越是這樣的時候，越要增加投資、增加人力資源。只有通過自身的努力和調整，才能抓住發展機遇，促進企業成長，同時幫助韓國經濟增長。

      微軟首席執行官鮑爾默、臺灣宏達電（HTC）董事長王雪紅、戴爾計算機公司副總裁杰夫?克拉克、聯想集團首席執行官楊元慶等通過視頻向三星電子致意。電子業界的領導者們對三星電子致力于NAND閃存生產并在世界上率先批量生產20納米級動態存儲器表示祝賀。