新一期英國(guó)《自然?納米技術(shù)》雜志日前刊登報(bào)告說，單層的輝鉬材料顯示出良好的半導(dǎo)體特性，有些性能超過現(xiàn)在廣泛使用的硅和研究熱門石墨烯，可望成為下一代半導(dǎo)體材料。

      與現(xiàn)在廣泛使用的硅材料相比，輝鉬具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)：一是達(dá)到同等效用的體積更小。只有0.65納米厚的輝鉬材料，電子在其中能像在2納米厚的硅材料中那樣自如移動(dòng)，同時(shí)，現(xiàn)有技術(shù)還無(wú)法將硅材料制作得跟輝鉬材料一樣薄；二是能耗更低。據(jù)估計(jì)，輝鉬制成的晶體管在待機(jī)狀態(tài)下消耗的能量只是硅晶體管的約十萬(wàn)分之一。