日前，中日科研機(jī)構(gòu)通力合作，采用化學(xué)氣相沉積方法，在生長BN納米管的同時實(shí)現(xiàn)了F的均勻摻雜，獲得了N型的BN半導(dǎo)體納米管。 　　與碳納米管的電子結(jié)構(gòu)明顯依賴于管徑與螺旋度等因素不同，BN納米管通常表現(xiàn)出穩(wěn)定一致的電學(xué)特性。為實(shí)現(xiàn)對F摻雜BN納米管本征物性的研究，研究人員利用電子束光刻與Lift-off微加工技術(shù)，在分散提純的單根F摻雜BN上制作出用于輸運(yùn)性質(zhì)測量的微電極，研究了單根F摻雜BN納米管的電導(dǎo)特性，發(fā)現(xiàn)F摻雜實(shí)現(xiàn)了BN納米管從絕緣體向半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變，低于5%的F摻雜濃度使BN納米管的電導(dǎo)提高3個數(shù)量級以上。 　　研制單位：中國科學(xué)院物理所和日本物質(zhì)材料研究機(jī)構(gòu)