三星電子公司日前宣布，該公司已經利用60納米技術開發出一款8GB的NAND閃存芯片，從而蕩平了通往16GB閃存設備的大道上的技術樊籬，此類設備有望來年面世。 　　與此同時，該公司還宣布了一項消息：該公司采用80納米技術，推出了世界首款2GB雙倍速DDR DRAM芯片，目前此類芯片廣泛應用于計算機部件中。 　　8Gb NAND 閃存的問世使得在一塊存儲板卡上設計16GB存儲系統成為可能。16GB存儲空間的概念是：可以連續播放16小時高畫質DVD或者是4000首(每首5分鐘)MP3歌曲的容量。 　　此類高集成度精密電路設計的關鍵在于三維單元晶體管結構以及高度門絕緣技術，這樣可以將單元之間的干擾降到最低。此外，借助于廣泛使用的KrF微印技術，成本可以壓縮近一半。 　　三星電子半導體部總裁Hwang Chang-gyu說：“開發進展表明，半導體容量還可以通過改進設計及工藝而加以擴大，而不是依靠單一的微處理技術”。 　　Hwang博士稱，業內存儲密度經歷了1999年的256MB、2000年的512MB、2001年的1GB、2002年的2GB、2003年4GB以及2004年的8GB一系列演化過程”。與著名的摩爾定律(稱計算機芯片的處理能力每隔18個月將翻倍)相對比，這種推論常被稱作“Hwang氏定律”。 　　三星公司預計在2005年下半年開始大規模生產這種2GB芯片。 　　他還預測到，來年全球半導體銷售增長速度將會在今年20%的增長速度基礎上有所放緩、成為10%。 　　上周，摩根斯坦利(Morgan Stanley)降低了其對2005年半導體業的預期，從原來預計的的13%到18%降低為8%到12%。