據美國物理學家組織網12月23日報道，美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅?斯納夫領導的一個國際科研小組在23日出版的《科學》雜志上宣布，他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應晶體管（FET），該設備由電力控制，其功能基于電子的自旋，其中包含一個與門邏輯設備。新突破將給半導體納米電子學和信息技術領域帶來新氣象。
　　英國日立劍橋實驗室、劍橋大學、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋?螺旋狀態和異常霍爾效應結合在一起，制造出了這種自旋FET，其中包括一個與門邏輯設備，自旋FET的概念于1989年首次提出，這是科學家首次在其中實現與門邏輯設備。