近日，美國熱電集團將高選擇性反應(yīng)監(jiān)測技術(shù)（H-SRM）引入該公司的Finnigan? TSQ Quantum系列三級四極桿質(zhì)譜儀中。該技術(shù)較之目前普遍采用的選擇性反應(yīng)監(jiān)測（SRM）定量技術(shù)更為先進，可極大消除化學(xué)干擾，減少錯誤的正離子的生成，從而達到降低檢出限的目的。 據(jù)熱電集團相關(guān)人士介紹，該項技術(shù)尤其對于醫(yī)藥分析實驗室的科研人員特別有用，可在保證分析的準確性和靈敏度的同時，又使獲取的數(shù)據(jù)信息量較之以往提高了三到四倍。 當今，制藥行業(yè)面臨的一個主要問題是在提高處理和分析樣品能力的同時，如何保證實驗數(shù)據(jù)的準確性。而H-SRM技術(shù)的高選擇性既降低了目標分析物的檢出限，又保證了實驗數(shù)據(jù)的準確性。由于減少了離子傳輸過程中的損失，熱電集團的三級四極桿質(zhì)譜獲得了更高水平的限量標準。 對于三級四級桿質(zhì)譜而言，采用SRM技術(shù)時的可被選擇的母離子的質(zhì)/荷比范圍在±0.5或者更高。而采用H-SRM技術(shù)時可被選擇的母離子的質(zhì)/荷比范圍在±0.1或者更低。